SI8466EDB-T2-E1 دیتاشیت

SI8466EDB-T2-E1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI8466EDB-T2-E1
حجم فایل 105.111 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI8466EDB-T2-E1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI8466EDB-T2-E1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 780mW;null
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 710pF@4V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 43mΩ@2A,4.5V
  • Package: MicroFoot-4
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه